STGWT30H60DFB - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGWT30H60DFB
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14.6 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 101 pF
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для STGWT30H60DFB
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGWT30H60DFB даташит
stgw30h60dfb stgwa30h60dfb stgwt30h60dfb.pdf
STGW30H60DFB, STGWA30H60DFB, STGWT30H60DFB Datasheet Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 3 3 High speed switching series 2 2 1 1 Minimized tail current TO-247 TO-247 long leads Low saturation voltage VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A TAB Tight parameter distribution Safe para
stgwt30h60dfb.pdf
STGW30H60DFB, STGWT30H60DFB Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A 3 3 2 2 Tight parameters distribution 1 1 TO-247 Safe paralleling TO-3P Low thermal resist
stgwt30h65fb.pdf
STGFW30H65FB, STGW30H65FB, STGWT30H65FB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed Datasheet - production data TAB Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series 3 Minimized tail current 2 1 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A TO-3PF Tight parameters distribution 1 1 1 Safe paralleling 3 Low t
stgwt30hp65fb.pdf
STGWT30HP65FB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current 3 2 Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A 1 TO-3P Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient C
Другие IGBT... STGW30H60DFB , STGW30H60DLFB , STGW30H65FB , STGW30V60DF , STGW30V60F , STGWA15H120DF2 , STGWA15H120F2 , STGWT20H65FB , FGD4536 , STGWT30H65FB , STGWT30V60DF , STGWT30V60F , RJP60F5DPK , IRGP4650D , IGW50N65F5A , IGW50N65H5A , IKW50N65F5A .
History: TA49048
History: TA49048
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent







