Справочник IGBT. STGWT30H60DFB

 

STGWT30H60DFB Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWT30H60DFB
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GWT30H60DFB
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 14.6 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 101 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 149 nC
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGWT30H60DFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  st
stgw30h60dfb stgwa30h60dfb stgwt30h60dfb.pdfpdf_icon

STGWT30H60DFB

STGW30H60DFB, STGWA30H60DFB, STGWT30H60DFBDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C3 3 High speed switching series2 21 1 Minimized tail currentTO-247TO-247 long leads Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 ATAB Tight parameter distribution Safe para

 ..2. Size:419K  st
stgwt30h60dfb.pdfpdf_icon

STGWT30H60DFB

STGW30H60DFB, STGWT30H60DFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A3322 Tight parameters distribution11TO-247 Safe parallelingTO-3P Low thermal resist

 5.1. Size:1635K  st
stgwt30h65fb.pdfpdf_icon

STGWT30H60DFB

STGFW30H65FB, STGW30H65FB, STGWT30H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speedDatasheet - production dataTABFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series3 Minimized tail current21 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 ATO-3PF Tight parameters distribution111 Safe paralleling3 Low t

 6.1. Size:537K  st
stgwt30hp65fb.pdfpdf_icon

STGWT30H60DFB

STGWT30HP65FBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBTFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current32 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A1TO-3P Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficientC

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: DIM250PHM33-TL | IGC36T120T8L | IGC10R60D | IGC10T65QE | DF900R12IP4DV | DF80R12W2H3_B11

 

 
Back to Top

 


 
.