Справочник IGBT. STGWA15M120DF3

 

STGWA15M120DF3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWA15M120DF3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G15M120DF3
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 118 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 53 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STGWA15M120DF3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWA15M120DF3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1049K  st
 stgwa15m120df3.pdf pdf_icon

STGWA15M120DF3

STGW15M120DF3 STGWA15M120DF3Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low lossDatasheet - production dataFeatures 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance3 Soft and fast recovery antiparallel diode21ApplicationsTO-247 Industria

 ..2. Size:1018K  st
 stgw15m120df3 stgwa15m120df3.pdf pdf_icon

STGWA15M120DF3

STGW15M120DF3 STGWA15M120DF3Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low lossDatasheet - production dataFeatures 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance3 Soft and fast recovery antiparallel diode21ApplicationsTO-247 Industria

 7.1. Size:827K  st
 stgwa15h120df2.pdf pdf_icon

STGWA15M120DF3

STGW15H120DF2, STGWA15H120DF2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 15 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3TJ=150 C2 21 1 Safe parallelingTO-247T

 7.2. Size:796K  st
 stgwa15h120f2.pdf pdf_icon

STGWA15M120DF3

STGW15H120F2, STGWA15H120F2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 15 A 5 s minimum short-circuit withstand time at 3 32 2 TJ=150 C1 1 Safe parallelingTO-247TO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: GT20D101Y

 

 
Back to Top

 


 
.