Справочник IGBT. STGWT40H60DLFB

 

STGWT40H60DLFB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWT40H60DLFB
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GWT40H60DLFB
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 210 nC
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для STGWT40H60DLFB

 

 

STGWT40H60DLFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1485K  st
 stgwt40h60dlfb.pdf

STGWT40H60DLFB STGWT40H60DLFB

STGW40H60DLFB, STGWT40H60DLFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 CTAB High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A323 Tight parameters distribution12 Safe paralleling1 L

 5.1. Size:1516K  st
 stgwt40h65dfb.pdf

STGWT40H60DLFB STGWT40H60DLFB

STGW40H65DFB STGWT40H65DFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.60 V (typ.) @ IC = 40 A3322 Tight parameters distribution11 Safe paralleling

 5.2. Size:1573K  st
 stgwt40h65fb.pdf

STGWT40H60DLFB STGWT40H60DLFB

STGW40H65FB, STGFW40H65FB, STGWT40H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 High speed switching series3 Minimized tail current21 Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V TABTO-3PF(typ.) @ IC = 40 A Tight parameters distribution

 6.1. Size:903K  1
 stgwt40hp65fb.pdf

STGWT40H60DLFB STGWT40H60DLFB

STGWT40HP65FB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature: T = 175 C J Minimized tail current V = 1.6 V (typ.) @ I = 40 A CE(sat) C Tight parameter distribution Co-packed diode for protection 3 Safe paralleling 21 Low thermal resistance TO-3PApplica

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , JT075N065WED , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top