Справочник IGBT. STGW50HF65SD

 

STGW50HF65SD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGW50HF65SD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GW50HF65SD
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 284 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 200 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGW50HF65SD

 

 

STGW50HF65SD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1075K  st
 stgw50hf65sd.pdf

STGW50HF65SD STGW50HF65SD

STGW50HF65SD STGWT50HF65SD60 A, 650 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diodeDatasheet - preliminary dataFeatures Very low on-state voltage drop Low switching off High current capability Very soft Ultrafast recovery antiparallel diode32312Applications1 PV inverterTO-3PTO-247 UPSDescriptionFigure 1. Internal schematic di

 5.1. Size:242K  st
 stgw50hf60s.pdf

STGW50HF65SD STGW50HF65SD

STGW50HF60S60 A, 600 V, very low drop IGBTFeatures Very low on-state voltage drop Low switching off High current capabilityApplications32 PV inverter1 UPSTO-247DescriptionSTGW50HF60S is a very low drop IGBT based on new advanced planar technology, showing Figure 1. Internal schematic diagramextremely low on-state voltage and limited turn-off lo

 5.2. Size:762K  st
 stgw50hf60sd.pdf

STGW50HF65SD STGW50HF65SD

STGW50HF60SD60 A, 600 V, very low drop IGBTwith soft and fast recovery diodeFeatures Very low on-state voltage drop Low switching off High current capability Very soft ultra fast recovery antiparallel diode3Application21 PV inverterTO-247 UPSDescriptionSTGW50HF60SD is a very low drop IGBT based on new advanced planar technology, showing Figu

 7.1. Size:1756K  st
 stgw50h60df.pdf

STGW50HF65SD STGW50HF65SD

STGW50H60DF50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diodeDatasheet - production dataFeatures High speed switching Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance 6 s short-circuit withstand time32 Ultrafast soft recovery antiparallel diode1 Lead free packageTO-247Applications Photovoltaic inverters

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top