STGWA25S120DF3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGWA25S120DF3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 11.8 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 125 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGWA25S120DF3 Datasheet (PDF)
stgwa25s120df3.pdf

STGW25S120DF3, STGWA25S120DF3Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low dropDatasheet - production dataFeatures 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 25 A Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance32 Soft and fast recovery antiparallel diode1TO-247ApplicationsTO-247 long le
stgwa25h120f2.pdf

STGW25H120F2, STGWA25H120F2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 32 2 TJ=150 C1 1 Tight parameters distribution
stgwa25m120df3.pdf

STGW25M120DF3 STGWA25M120DF3Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low lossDatasheet - production dataFeatures 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 25 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance3 Soft and fast recovery antiparallel diode21ApplicationsTO-247 Industria
stgwa25h120df2.pdf

STGW25H120DF2, STGWA25H120DF2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed Datasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3TJ=150 C2 21 1 Safe parallelingTO-247
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IKP15N60T | GPU50HF120D1 | SGM50PA12A6BTFD | YGQ100N65FP | GPU75HF120D1 | IXYY8N90C3 | FGA60N60UFD
History: IKP15N60T | GPU50HF120D1 | SGM50PA12A6BTFD | YGQ100N65FP | GPU75HF120D1 | IXYY8N90C3 | FGA60N60UFD



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet