STGWA60H65DFB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGWA60H65DFB  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 262 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для STGWA60H65DFB

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWA60H65DFB даташит

 ..1. Size:685K  st
stgw60h65dfb stgwa60h65dfb stgwt60h65dfb.pdfpdf_icon

STGWA60H65DFB

STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB, STGWT60H65DFB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 3 3 High speed switching series 2 2 1 1 Minimized tail current TO-247 TO-247 long leads Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A TAB Tight parameter distribution Safe paral

 ..2. Size:1574K  st
stgwa60h65dfb.pdfpdf_icon

STGWA60H65DFB

STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB STGWT60H65DFB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current 3 3 2 2 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A 1 1 TO-3P TO-247 Tight parameters distribution Safe paralleling

 7.1. Size:1625K  st
stgw60v60df stgwa60v60df stgwt60v60df.pdfpdf_icon

STGWA60H65DFB

STGW60V60DF, STGWA60V60DF STGWT60V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A 3 3 2 2 1 1 Tight parameter distribution TO-247 TO-247 long leads Safe paralleling TAB Low thermal resistan

 7.2. Size:779K  st
stgwa60nc60wdr.pdfpdf_icon

STGWA60H65DFB

STGWA60NC60WDR 60 A, 600 V, ultrafast IGBT Features Very high frequency operation Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultrafast recovery antiparallel diode 3 2 Applications 1 Welding TO-247 long leads Power factor correction SMPS High frequency inverter/converter Figure 1. Internal schematic diagram Description This

Другие IGBT... STGW60H60DLFB, STGW60H65DFB, STGW60H65FB, STGW60V60DF, STGW60V60F, STGWA25H120DF2, STGWA25H120F2, STGWA25S120DF3, CRG40T65AK5HD, STGWT28IH125DF, STGWT60H60DLFB, STGWT60H65DFB, STGWT60H65FB, STGWT60V60DF, NGTB20N120IHR, NGTB20N120IHRWG, NGTB30N120IHR