Справочник IGBT. STGWA40S120DF3

 

STGWA40S120DF3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWA40S120DF3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G40S120DF3
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 185 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 129 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGWA40S120DF3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  st
stgwa40s120df3.pdfpdf_icon

STGWA40S120DF3

STGW40S120DF3, STGWA40S120DF3Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low dropDatasheet - production dataFeatures 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 40 A Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance32 Soft and fast recovery antiparallel diode1TO-247ApplicationsTO-247 long l

 7.1. Size:526K  st
stgwa40h65dfb.pdfpdf_icon

STGWA40S120DF3

STGWA40H65DFBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resist

 7.2. Size:431K  st
stgfw40h65fb stgw40h65fb stgwa40h65fb.pdfpdf_icon

STGWA40S120DF3

STGFW40H65FB, STGW40H65FB, STGWA40H65FBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C323 12 High speed switching series1TO-3PF TO-247 Minimized tail current Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ) @ IC = 40 A Safe paralleling321 Tight parameter distributio

 7.3. Size:699K  st
stgwa40h120df2.pdfpdf_icon

STGWA40S120DF3

STGW40H120DF2,STGWA40H120DF2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3TJ=150 C2 21 1 Safe parallelingTO-247TO

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: DIM200PLM33-F | IGC99T120T8RL | IGP06N60T | IGC18T120T8Q | DGW50N65CTL1

 

 
Back to Top

 


 
.