STGWA80H65FB - аналоги и описание IGBT

 

STGWA80H65FB - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGWA80H65FB

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 469 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 385 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGWA80H65FB

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWA80H65FB даташит

 ..1. Size:1471K  st
stgwa80h65fb.pdfpdf_icon

STGWA80H65FB

STGW80H65FB, STGWA80H65FB, STGWT80H65FB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C TAB High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A 3 3 Tight parameter distribution 2 2 1 1 Safe paralleling TO-3P TO-247 Low

 4.1. Size:1459K  st
stgwa80h65dfb.pdfpdf_icon

STGWA80H65FB

STGY80H65DFB, STGW80H65DFB, STGWA80H65DFB STGWT80H65DFB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series 3 Minimized tail current 3 2 2 1 1 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A Max247 TO-247 Tight parameter distribution TAB Safe par

 9.1. Size:526K  st
stgwa40h65dfb.pdfpdf_icon

STGWA80H65FB

STGWA40H65DFB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resist

 9.2. Size:537K  st
stgwa50hp65fb2.pdfpdf_icon

STGWA80H65FB

STGWA50HP65FB2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A Co-packaged protection diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) temperature coefficien

Другие IGBT... STGWA40H120DF2 , STGWA40M120DF3 , STGWA40S120DF3 , STGW80H65DFB , STGW80H65FB , STGW80V60DF , STGW80V60F , STGWA80H65DFB , NGTB75N65FL2 , STGWT80H65DFB , STGWT80H65FB , STGWT80V60DF , STGWT80V60F , 70MT060WSP , RJH65S04DPQ-A0 , 1MBI75U4F-120L-50 , IRG7PH50K10D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.