STGWT80H65FB Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGWT80H65FB
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: GWT80H65FB
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 469 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 385 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 414 nC
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для STGWT80H65FB
STGWT80H65FB Datasheet (PDF)
stgwt80h65fb.pdf

STGW80H65FB, STGWA80H65FB, STGWT80H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 CTAB High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A3 3 Tight parameter distribution2211 Safe parallelingTO-3PTO-247 Low
stgw80h65dfb stgwt80h65dfb.pdf

STGW80H65DFB, STGWT80H65DFBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 CTAB High speed switching series Minimized tail current323 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A121 Tight parameter distributionTO-247TO-3P Safe paralleling Positive VCE(s
stgwt80h65dfb.pdf

STGY80H65DFB, STGW80H65DFB, STGWA80H65DFB STGWT80H65DFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series3 Minimized tail current32211 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 AMax247 TO-247 Tight parameter distributionTAB Safe par
stgwt80v60f.pdf

STGFW80V60F, STGW80V60F, STGWT80V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off3 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 80 A21 Tight parameters distributionTABTO-3PF Safe paralleling Low thermal resistance33Applicati
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IXXH30N60C3 | NCE75TD120WT
History: IXXH30N60C3 | NCE75TD120WT



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383