IRGP4266D - аналоги и описание IGBT

 

IRGP4266D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRGP4266D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 310 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP4266D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4266D даташит

 ..1. Size:899K  international rectifier
irgp4266d.pdfpdf_icon

IRGP4266D

IRGP4266DPbF IRGP4266D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 90A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C G E E C G C G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A E IRGP4266DPbF IRGP4266D EPbF n-channel Applications TO 247AC TO 247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector E

 6.1. Size:583K  international rectifier
irgp4266.pdfpdf_icon

IRGP4266D

IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C IC = 90A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C G E E C VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A G C G E IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications Industrial Motor Drive G C E Inverters Gate Collector Emitter UPS Welding Features Ben

 7.1. Size:681K  international rectifier
irgp4262d.pdfpdf_icon

IRGP4266D

IRGP4262DPbF IRGP4262D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V G C G IC = 40A, TC =100 C E tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E G C C G G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A IRGP4262DPbF IRGP4262D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter UPS

 7.2. Size:920K  international rectifier
irgp4263.pdfpdf_icon

IRGP4266D

IRGP4263PbF IRGP4263-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor C VCES = 650V IC = 60A, TC =100 C E E G tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A E IRGP4263PbF IRGP4263-EPbF n-channel TO247AC TO-247AD Applications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter Inverters UPS Welding Features Benefi

Другие IGBT... VS-GB70LA60UF , VS-GB70NA60UF , IRGP4266 , MMG100S120B6TN , MMG100W120X6TN , NGTB30N120FL2 , NGTB30N120FL2WG , IRGP4690D , IRG7S313U , IRGP4790 , IRGP4790D , MMG75S060B6N , 40MT120UHAPBF , 40MT120UHTAPBF , MMG75H120H6HN , MMG75HB120H6HN , MMG75HB120H6UN .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.