40MT120UHAPBF - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

40MT120UHAPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: 40MT120UHAPBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.36 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 380 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 399 nC
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для 40MT120UHAPBF

40MT120UHAPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:323K vishay
40mt120uhapbf.pdf

40MT120UHAPbF, 40MT120UHTAPbFVishay High Power Products"Half Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverserecovery and low VF Al2O3 DBC Optional SMD thermistor (NTC

0.1. Size:287K vishay
vs-40mt120uhapbf.pdf

VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficientAvailable 10 s short circuit capabilityAvailable Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF

5.1. Size:287K vishay
vs-40mt120uhtapbf.pdf