40MT120UHAPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 40MT120UHAPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.36 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 380 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 399 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 40MT120UHAPBF
40MT120UHAPBF Datasheet (PDF)
40mt120uhapbf.pdf
40MT120UHAPbF, 40MT120UHTAPbFVishay High Power Products"Half Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverserecovery and low VF Al2O3 DBC Optional SMD thermistor (NTC
vs-40mt120uhapbf.pdf
VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficientAvailable 10 s short circuit capabilityAvailable Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF
vs-40mt120uhtapbf.pdf
VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficientAvailable 10 s short circuit capabilityAvailable Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF
40mt120uhtapbf.pdf
40MT120UHAPbF, 40MT120UHTAPbFVishay High Power Products"Half Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverserecovery and low VF Al2O3 DBC Optional SMD thermistor (NTC
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123