MMG75H120H6HN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MMG75H120H6HN
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 465 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 350 nC
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MMG75H120H6HN Datasheet (PDF)
mmg75h120h6hn.pdf

MMG75H120H6HN1200V 75A Four-Pack ModuleMay 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High short circuit capability,self limiting short circuit current IGBT CHIP(T4 Fast Trench+Field Stop technology) VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching l
mmg75h120x6tc.pdf

MMG75H120X6TC1200V 75A Six-Pack ModuleMay 2020 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba
mmg75h120x6tn.pdf

MMG75H120X6TN1200V 75A Six-Pack ModuleMay 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT Chip(IGBT3 Trench+Field Stop technology)Diode Chip(Emcon3 wheeling diode) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated
mmg75h060xb6en.pdf

::;?@?AB@97%&&'CD , E 2F&GH , 2 +0 1465645890564989+1. ! 1 9%&&'(#)* +,-) ."/ 0 . 1239I 1 !! 9/ .1 . 9/ . 1 .! ! 29 2 $1 . J1 !,# 19) 0112340536789 9 ! "# $ " 9 (#)S #0TIK)U V K ) W(0-XYZ[\]Y_`accdefbghibcjbkiimnb c lb02 J , ) ' K ' U0 )EMFDN %&&U ' 1 ''(U0( U ' 1 RF&) MFDNO)E QMGCDN HDP ) MCDNO)E QMGCDN CD , $ MG GD&, ) MFDNO)E
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: GT15N101 | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | SM2G75US120 | IRG4PF50WPBF | XNF6N60T | APTGS10X120BTP2
History: GT15N101 | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | SM2G75US120 | IRG4PF50WPBF | XNF6N60T | APTGS10X120BTP2



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet