Справочник IGBT. IQG1B300N120B4

 

IQG1B300N120B4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQG1B300N120B4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.87 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 76 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1600 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 3120 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для IQG1B300N120B4

 

 

IQG1B300N120B4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  iqxprz
 iqg1b300n120b4.pdf

IQG1B300N120B4 IQG1B300N120B4

IQG1B300N120B4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQpak3 PackageSingle SwitchFEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector current, T =150oCjmaxI 300CoT =80 CCPeak collect

 9.1. Size:139K  iqxprz
 iqg1b600n120b4.pdf

IQG1B300N120B4 IQG1B300N120B4

IQG1B600N120B4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQPaK3 PackageSingle SwitchFEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb-free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGSParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector current, T =150oCjmaxI 600CoT =80 CCPeak collector currentI 1200 ACpulsoT =80 CC

 9.2. Size:126K  iqxprz
 iqg1b228n120b4.pdf

IQG1B300N120B4 IQG1B300N120B4

IQG1B228N120B4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQpakTM3 PackageSingle SwitchFEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector current, T =150oCjmaxI 228CoT =80 CCPeak collect

 9.3. Size:125K  iqxprz
 iqg1b150n120b4.pdf

IQG1B300N120B4 IQG1B300N120B4

IQG1B150N120B4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQpakTM3 PackageSingle SwitchFEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector current, T =150oCjmaxI 150CoT =80 CCPeak collect

 9.4. Size:139K  iqxprz
 iqg1b456n120b4.pdf

IQG1B300N120B4 IQG1B300N120B4

IQG1B456N120B4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQPaK3 PackageSingle SwitchFEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb-free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGSParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector current, T =150oCjmaxI 456CoT =80 CCPeak collector current I 912 ACMDiode forward curren

Другие IGBT... IKD06N60-RF , IKD10N60RF , IKD15N60RF , IQAB50N60D1 , IQAB75N60A1 , IQAB75N60D1 , IQG1B150N120B4 , IQG1B228N120B4 , IKW40T120 , IQG1B456N120B4 , IQG1B600N120B4 , IQGB150N120GA4 , IQGB150N120GB4 , IQGB150N120I4 , IQGB228N120GA4 , IQGB228N120GB4 , IQGB228N120I4 .

 

 
Back to Top