IXYN80N90C3H1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXYN80N90C3H1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 103 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 243 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 145 nC
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для IXYN80N90C3H1
IXYN80N90C3H1 Datasheet (PDF)
ixyn80n90c3h1.pdf
Advance Technical Information900V XPTTM IGBT VCES = 900VIXYN80N90C3H1GenX3TM w/ Diode IC90 = 70A VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 86nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOCSymbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VCES TJ = 25C to 150C 900 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 900 VGVGES Continuous 20 VVGEM Tra
ixyn82n120c3h1.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYN82N120C3H1GenX3TM w/ Diode IC110 = 46A VCE(sat) 3.2V tfi(typ) = 93nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingSOT-227B, miniBLOC E153432E Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continu
ixyn82n120c3.pdf
N E W P R O D U C T B R I E FEfficiency Through Technology1200V XPT IGBTsExtreme-Light Punch-Through IGBTs for High-Speed Hard-Switching ApplicationsOctober 2012OVERVIEWTO-247IXYS Corporation expands its 1200V XPT IGBT product line. With current ratings of up to 220A, these new devices are designed to minimize switching losses in high-voltage, hard-switching applica-tion
Другие IGBT... IXYN100N65A3 , IXYN100N65B3D1 , IXYN100N65C3H1 , IXYN120N120C3 , IXYN120N65B3D1 , IXYN120N65C3D1 , IXYN150N60B3 , IXYN75N65C3D1 , SGT50T65FD1PT , IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , IXBF14N300 , IXBF15N300C , IXBF20N360 , IXBF22N300 , IXBF28N300 , IXBF50N360 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2