Справочник IGBT. IXBF20N360

 

IXBF20N360 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBF20N360
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: I4PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXBF20N360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  ixys
 ixbf20n360.pdf pdf_icon

IXBF20N360

Preliminary Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3600VIXBF20N360High Frequency,IC110 = 18ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 3.4VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 V12VGES Continuous 20 VIsolat

 6.1. Size:197K  ixys
 ixbf20n300.pdf pdf_icon

IXBF20N360

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF20N300BIMOSFETTM MonolithicIC110 = 14ABipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 V1VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V2Isolated Tab5VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V1 = Ga

 9.1. Size:196K  ixys
 ixbf28n300.pdf pdf_icon

IXBF20N360

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF28N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 28ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient

 9.2. Size:196K  ixys
 ixbf22n300.pdf pdf_icon

IXBF20N360

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF22N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 22ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.