Справочник IGBT. IXBA10N300HV

 

IXBA10N300HV - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBA10N300HV
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 340 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 42 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 46 nC
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXBA10N300HV

 

 

IXBA10N300HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  ixys
 ixba10n300hv.pdf

IXBA10N300HV IXBA10N300HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBA10N300HVBIMOSFETTM MonolithicIXBH10N300HVIC110 = 10ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.8VTO-263HV (IXBA)GESymbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab)VCES TC = 25C to 150C 3000 VTO-247HV (IXBH)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V

 9.1. Size:247K  ixys
 ixba14n300hv.pdf

IXBA10N300HV IXBA10N300HV

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBA14N300HVBIMOSFETTM MonolithicIXBH14N300HVIC110 = 14ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7VTO-263HV (IXBA)GESymbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab)VCES TC = 25C to 150C 3000 VTO-247HV (IXBH)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 VVGEM

 9.2. Size:169K  ixys
 ixba16n170ahv.pdf

IXBA10N300HV IXBA10N300HV

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 1700VIXBA16N170AHVBIMOSFETTM MonolithicIXBT16N170AHVIC25 = 16ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 6.0VTO-263HV (IXBA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VTO-268HV (IXBT)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM

 9.3. Size:246K  ixys
 ixba12n300hv.pdf

IXBA10N300HV IXBA10N300HV

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBA12N300HVBIMOSFETTM MonolithicIXBT12N300HVIC110 = 12ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2VTO-263 (IXBA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VTO-268 (IXBT)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 VVGEM Trans

Другие IGBT... IXBF15N300C , IXBF20N360 , IXBF22N300 , IXBF28N300 , IXBF50N360 , IXBH10N300 , IXBH10N300HV , IXBH14N300HV , IRG7IC28U , IXBA12N300HV , IXBA14N300HV , IXBA16N170AHV , IXBH20N140 , IXBH20N160 , IXBH20N360HV , IXBH22N300HV , IXBH40N140 .

 

 
Back to Top