Справочник IGBT. IXXH150N60C3

 

IXXH150N60C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH150N60C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1360 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 403 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXXH150N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  ixys
ixxh150n60c3.pdfpdf_icon

IXXH150N60C3

Advance Technical InformationVCES = 600V600V XPTTM IGBT IXXH150N60C3IC110 = 150AGenX3TM VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 75nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VVGES Co

 9.1. Size:167K  ixys
ixxh110n65c4.pdfpdf_icon

IXXH150N60C3

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH110N65C4GenX4TM IC110 = 110A VCE(sat) 2.35V Extreme Light Punch Through tfi(typ) = 30nsIGBT for 20-60 kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC

 9.2. Size:171K  ixys
ixxh100n60b3.pdfpdf_icon

IXXH150N60C3

Preliminary Technical InformationXPTTM 600V VCES = 600VIXXH100N60B3GenX3TM IC110 = 100A VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 150nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGC TabVGES Continuous 20 VEVGEM Transien

 9.3. Size:171K  ixys
ixxh100n60c3.pdfpdf_icon

IXXH150N60C3

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXH100N60C3IC110 = 100AGenX3TM VCE(sat) 2.20V tfi(typ) = 75nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VC TabEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 3

Другие IGBT... IXGQ90N27PB , IXXN100N60B3H1 , IXXN110N65B4H1 , IXXN110N65C4H1 , IXXN200N60B3 , IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 , IRG4PC50U , IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , IXXH40N65B4H1 , IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 .

History: IXSX40N60CD1 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | MMG100S120B6TN | 2SH15 | SM2G100US60

 

 
Back to Top

 


 
.