IXXK160N65C4 - аналоги и описание IGBT

 

IXXK160N65C4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXXK160N65C4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 290 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 510 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXXK160N65C4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXK160N65C4 даташит

 ..1. Size:208K  ixys
 ixxk160n65c4.pdf pdf_icon

IXXK160N65C4

Preliminary Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBTs IXXK160N65C4 IC110 = 160A GenX4TM IXXX160N65C4 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 30ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-264 (IXXK) G C Symbol Test Conditions Maximum Ratings E Tab VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V PLUS247 (IXXX) V

 4.1. Size:208K  ixys
 ixxk160n65b4.pdf pdf_icon

IXXK160N65C4

 9.1. Size:313K  ixys
 ixxk110n60b4h1.pdf pdf_icon

IXXK160N65C4

Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK110N60B4H1 IC100 = 110A GenX4TM w/ Diode IXXX110N60B4H1 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 27ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Tab VGES Continuous

 9.2. Size:242K  ixys
 ixxk100n60c3h1 ixxx100n60c3h1.pdf pdf_icon

IXXK160N65C4

Preliminary Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK100N60C3H1 IC90 = 100A GenX3TM w/ Diode IXXX100N60C3H1 VCE(sat) 2.20V tfi(typ) = 75ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Contin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGM40N60A , IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXXH80N65B4 , IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , GT30J122 , IXXK200N65B4 , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 .

History: STGD18N40LZ | IXXK200N65B4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.