Справочник IGBT. IXXK160N65C4

 

IXXK160N65C4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXK160N65C4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 290 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 510 pF
   Тип корпуса: TO264
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXXK160N65C4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  ixys
 ixxk160n65c4.pdf pdf_icon

IXXK160N65C4

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBTs IXXK160N65C4IC110 = 160AGenX4TM IXXX160N65C4 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 30nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)GCSymbol Test Conditions Maximum RatingsETabVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VPLUS247 (IXXX)V

 4.1. Size:208K  ixys
 ixxk160n65b4.pdf pdf_icon

IXXK160N65C4

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBTs IXXK160N65B4IC110 = 160AGenX4TM IXXX160N65B4 VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 90nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VETabVGES Continuous

 9.1. Size:313K  ixys
 ixxk110n60b4h1.pdf pdf_icon

IXXK160N65C4

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK110N60B4H1IC100 = 110AGenX4TM w/ Diode IXXX110N60B4H1 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 27nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTabVGES Continuous

 9.2. Size:242K  ixys
 ixxk100n60c3h1 ixxx100n60c3h1.pdf pdf_icon

IXXK160N65C4

Preliminary Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK100N60C3H1IC90 = 100AGenX3TM w/ Diode IXXX100N60C3H1 VCE(sat) 2.20V tfi(typ) = 75nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VETabVGES Contin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGM40N60A , IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXXH80N65B4 , IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IRGP4062D , IXXK200N65B4 , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 .

History: IQG1B300N120B4 | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | MMG15CB120XB6TC

 

 
Back to Top

 


 
.