Справочник IGBT. IXYH100N65C3

 

IXYH100N65C3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH100N65C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 172 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH100N65C3

 

 

IXYH100N65C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  ixys
 ixyh100n65c3.pdf

IXYH100N65C3 IXYH100N65C3

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH100N65C3IC110 = 100AGenX3TM VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC

 4.1. Size:233K  ixys
 ixyh100n65b3.pdf

IXYH100N65C3 IXYH100N65C3

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH100N65B3IC110 = 100AGenX3TM VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 73nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC Ta

 9.1. Size:233K  ixys
 ixyh120n65c3.pdf

IXYH100N65C3 IXYH100N65C3

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH120N65C3IC110 = 120AGenX3TM VCE(sat) 2.8V tfi(typ) = 46nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC Tab

 9.2. Size:232K  ixys
 ixyh120n65b3.pdf

IXYH100N65C3 IXYH100N65C3

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH120N65B3IC110 = 120AGenX3TM VCE(sat) 1.90V tfi(typ) = 107nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC T

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top