Справочник IGBT. IXYH40N65C3H1

 

IXYH40N65C3H1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH40N65C3H1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 215 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 70 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXYH40N65C3H1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH40N65C3H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  ixys
 ixyh40n65c3h1.pdf pdf_icon

IXYH40N65C3H1

XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65C3H1GenX3TM w/ Sonic Diode IC110 = 40A VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 52nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20 V

 3.1. Size:197K  ixys
 ixyh40n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYH40N65C3H1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 40AIXYQ40N65C3D1 VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 20nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 (IXYH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175

 3.2. Size:171K  ixys
 ixyh40n65c3.pdf pdf_icon

IXYH40N65C3H1

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65C3GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 20nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGV

 5.1. Size:170K  ixys
 ixyh40n65b3.pdf pdf_icon

IXYH40N65C3H1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65B3GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 73nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXYH)VCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VVGES Con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.