IXYH50N65C3D1 - аналоги и описание IGBT

 

IXYH50N65C3D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYH50N65C3D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 132 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH50N65C3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH50N65C3D1 даташит

 ..1. Size:188K  ixys
 ixyh50n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYH50N65C3D1

Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYH50N65C3D1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 50A VCE(sat) 2.10V tfi(typ) = 26ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-247 (IXYH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M

 3.1. Size:251K  ixys
 ixyh50n65c3h1.pdf pdf_icon

IXYH50N65C3D1

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYH50N65C3H1 GenX3TM w/ Sonic IC110 = 50A Diode VCE(sat) 2.10V tfi(typ) = 27ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-247AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1

 3.2. Size:271K  ixys
 ixyh50n65c3.pdf pdf_icon

IXYH50N65C3D1

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA50N65C3 GenX3TM IC110 = 50A IXYP50N65C3 VCE(sat) 2.10V IXYH50N65C3 tfi(typ) = 26ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-263 (IXYA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXYP) VCES TJ = 25 C to 175

 7.1. Size:184K  ixys
 ixyh50n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYH50N65C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH50N120C3D1 GenX3TM w/ Diode IC100 = 50A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 43ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXYH40N65B3 , IXYH40N65B3D1 , IXYH40N65C3 , IXYH40N65C3D1 , IXYH40N65C3H1 , IXYH40N90C3 , IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 , YGW60N65F1A1 , IXYH50N65C3H1 , IXYH60N90C3 , IXYH75N65C3 , IXYH75N65C3D1 , IXYH75N65C3H1 , IXYH80N90C3 , IXYJ30N120C3D1 , IXYK100N120B3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.