Справочник IGBT. IXYP10N65C3D1M

 

IXYP10N65C3D1M Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYP10N65C3D1M
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 42 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IXYP10N65C3D1M

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYP10N65C3D1M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  ixys
 ixyp10n65c3d1m.pdf pdf_icon

IXYP10N65C3D1M

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYP10N65C3D1MGenX3TM w/Diode IC110 = 7A VCE(sat) 2.6V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 23nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingOVERMOLDED TO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR

 1.1. Size:217K  ixys
 ixyp10n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYP10N65C3D1M

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYP10N65C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 9A VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 23nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 175C 650 VCTabEVCGR TJ = 25C to 175C, RGE

 3.1. Size:214K  ixys
 ixyp10n65c3.pdf pdf_icon

IXYP10N65C3D1M

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYP10N65C3GenX3TM IC110 = 10A VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 23nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGCTa

 9.1. Size:222K  ixys
 ixyp15n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYP10N65C3D1M

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYA15N65C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 15AIXYP15N65C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 28nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEC (Tab)VCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IRG4BC20W-S | MMG200D170B

 

 
Back to Top

 


 
.