Справочник IGBT. IXXR100N60B3H1

 

IXXR100N60B3H1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXR100N60B3H1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 475 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 143 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXXR100N60B3H1

 

 

IXXR100N60B3H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  ixys
 ixxr100n60b3h1.pdf

IXXR100N60B3H1 IXXR100N60B3H1

Advance Technical InformationXPTTM 600V VCES = 600VIXXR100N60B3H1GenX3TM w/ Diode IC110 = 68A VCE(sat) 1.80V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 150nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingISOPLUS247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous

 9.1. Size:233K  ixys
 ixxr110n65b4h1.pdf

IXXR100N60B3H1 IXXR100N60B3H1

VCES = 650VXPTTM 650V GenX4TM IXXR110N65B4H1IC110 = 70Aw/ Sonic Diode VCE(sat) 2.20V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 85nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingISOPLUS247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGCVGES Continuous 20 V Isolated Ta

 9.2. Size:284K  ixys
 ixxr110n60b4h1.pdf

IXXR100N60B3H1 IXXR100N60B3H1

Advance Technical InformationXPTTM 600V VCES = 600VIXXR110N60B4H1GenX4TM w/ Diode IC110 = 75A VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 27nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30kHz SwitchingISOPLUS247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top