Справочник IGBT. IXYA20N65C3D1

 

IXYA20N65C3D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYA20N65C3D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 67 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXYA20N65C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  ixys
 ixya20n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYA20N65C3D1

XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYA20N65C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 20AIXYP20N65C3D1 VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 28nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 650 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M

 3.1. Size:257K  ixys
 ixya20n65c3.pdf pdf_icon

IXYA20N65C3D1

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYA20N65C3GenX3TM IC110 = 20AIXYH20N65C3 VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 28nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGEVCES TJ = 25C to 175C 650 VC (Tab)VCGR TJ = 25C

 5.1. Size:273K  ixys
 ixya20n65b3.pdf pdf_icon

IXYA20N65C3D1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYA20N65B3GenX3TM IC110 = 20AIXYP20N65B3 VCE(sat) 2.10V IXYH20N65B3tfi(typ) = 87nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30kHz SwitchingTO-263 (IXYA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXYP)VCES TJ = 25C to 175C 650

 7.1. Size:229K  ixys
 ixya20n120c3hv.pdf pdf_icon

IXYA20N65C3D1

1200V XPTTM VCES = 1200VIXYA20N120C3HVGenX3TM IGBTs IC110 = 20AIXYP20N120C3 VCE(sat) 3.4V IXYH20N120C3tfi(typ) = 108nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-263HV (IXYA)GESymbol Test Conditions Maximum RatingsC (Tab)VCES TJ = 25C to 175C 1200 VTO-220 (IXYP)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGTD6N50E1 | XD040Q120AT1S3 | APTGT100A120D1 | NCE30TD65BD | 2MBI150VA-120-50 | 2MBI150PC-140 | SKM50GAL12T4

 

 
Back to Top

 


 
.