Справочник IGBT. RGT80TS65D

 

RGT80TS65D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT80TS65D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 117 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 87 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 79 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RGT80TS65D

 

 

RGT80TS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  rohm
 rgt80ts65d.pdf

RGT80TS65D RGT80TS65D

RGT80TS65D 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD234W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i

 0.1. Size:4695K  rohm
 rgt80ts65dgc13.pdf

RGT80TS65D RGT80TS65D

RGT80TS65DGC13 650V 40A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-247GEVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD234W(1)(2)(3)lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built in F

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top