RGT80TS65D - аналоги и описание IGBT

 

RGT80TS65D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RGT80TS65D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 117 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 87 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RGT80TS65D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT80TS65D даташит

 ..1. Size:751K  rohm
 rgt80ts65d.pdf pdf_icon

RGT80TS65D

RGT80TS65D 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 40A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 234W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built i

 0.1. Size:4695K  rohm
 rgt80ts65dgc13.pdf pdf_icon

RGT80TS65D

RGT80TS65DGC13 650V 40A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline TO-247GE VCES 650V IC(100 C) 40A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 234W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built in F

Другие IGBT... ISL9V3040S3 , RGT00TS65D , RGT16NS65D , RGT30NS65D , RGT40NS65D , RGT40TS65D , RGT50TS65D , RGT60TS65D , KGF75N65KDF , RGT8BM65D , RGT8NS65D , RGTH00TS65 , RGTH00TS65D , RGTH40TS65 , RGTH40TS65D , RGTH50TS65 , RGTH50TS65D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.