SKM145GB066D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKM145GB066D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 195 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM145GB066D
SKM145GB066D Datasheet (PDF)
skm145gb124d.pdf
SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GB 124 DIC Tcase = 25/70 C 190 / 145 AICM Tcase = 25/70 C; tp = 1 ms 380 / 290 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 800 WTj, (Tstg) 40 ... + 150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40040 Class Fclimate DIN IEC
Другие IGBT... ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , SKM100GB12V , SKM100GB176D , SKM145GAL176D , CRG75T60AK3HD , SKM145GB176D , SKM150GAL12T4 , SKM150GAL12V , SKM150GAR12T4 , SKM150GB12T4 , SKM150GB12T4G , SKM150GB12V , SKM150GB12VG .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2