Справочник IGBT. SKM75GB12V

 

SKM75GB12V Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GB12V
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 114 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM75GB12V

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GB12V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  semikron
skm75gb12v.pdfpdf_icon

SKM75GB12V

SKM75GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 114 ATj = 175 CTc =80C 87 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12VTc =80C 73 AIFnom 75 A

 5.1. Size:456K  semikron
skm75gb12t4.pdfpdf_icon

SKM75GB12V

SKM75GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 115 ATj = 175 CTc =80C 88 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12T4Tc =80C 73 A

 5.2. Size:592K  semikron
skm75gb124d.pdfpdf_icon

SKM75GB12V

 5.3. Size:538K  semikron
skm75gb123d.pdfpdf_icon

SKM75GB12V

Другие IGBT... SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , RGT50TS65D , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF .

History: AOGF40B65H2AL | IKP08N65F5 | 1MBG10D-060 | APT45GP120B2DQ2G | APTGT50X120BTP3 | GT40T321 | SGR6N60UF

 

 
Back to Top

 


 
.