Справочник IGBT. SKM75GB176D

 

SKM75GB176D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GB176D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GB176D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  semikron
 skm75gb176d.pdf pdf_icon

SKM75GB176D

 5.1. Size:545K  semikron
 skm75gb173d.pdf pdf_icon

SKM75GB176D

 6.1. Size:456K  semikron
 skm75gb12t4.pdf pdf_icon

SKM75GB176D

SKM75GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 115 ATj = 175 CTc =80C 88 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12T4Tc =80C 73 A

 6.2. Size:489K  semikron
 skm75gb12v.pdf pdf_icon

SKM75GB176D

SKM75GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 114 ATj = 175 CTc =80C 87 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12VTc =80C 73 AIFnom 75 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , HGTG30N60A4 , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP .

History: SRE30N065FSSDF | IXGC16N60C2 | VS-GB200TH120U | APT20GF120KR | AFGHL40T65SPD | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.