SKM800GA176D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SKM800GA176D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 830 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2200 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 4800 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам