HYG75B120C1S - аналоги и описание IGBT

HYG75B120C1S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HYG75B120C1S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Тип корпуса: MODULE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам