IXYH20N120C3D1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXYH20N120C3D1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXYH20N120C3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH20N120C3D1 даташит

 ..1. Size:190K  ixys
 ixyh20n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYH20N120C3D1

 2.1. Size:428K  ixys
 ixyh20n120c3.pdf pdf_icon

IXYH20N120C3D1

N E W P R O D U C T B R I E F Efficiency Through Technology 1200V XPT IGBTs Extreme-Light Punch-Through IGBTs for High-Speed Hard-Switching Applications October 2012 OVERVIEW TO-247 IXYS Corporation expands its 1200V XPT IGBT product line. With current ratings of up to 220A, these new devices are designed to minimize switching losses in high-voltage, hard-switching applica- tion

 2.2. Size:221K  ixys
 ixya20n120c3hv ixyp20n120c3 ixyh20n120c3.pdf pdf_icon

IXYH20N120C3D1

1200V XPTTM VCES = 1200V IXYA20N120C3HV GenX3TM IGBTs IC110 = 20A IXYP20N120C3 VCE(sat) 3.4V IXYH20N120C3 tfi(typ) = 108ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263HV (IXYA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V TO-220 (IXYP) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE

 7.1. Size:273K  ixys
 ixyh20n65b3.pdf pdf_icon

IXYH20N120C3D1

Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA20N65B3 GenX3TM IC110 = 20A IXYP20N65B3 VCE(sat) 2.10V IXYH20N65B3 tfi(typ) = 87ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching TO-263 (IXYA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXYP) VCES TJ = 25 C to 175 C 650

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HYG40P120H1S, HYG75B120C1S, HYG75P120D1S, IFS100B12N3E4_B31, IFS100B12N3E4_B39, IFS150B12N3E4_B31, IFS75B12N3E4_B31, IFS75B12N3E4_B32, SGT60N60FD1P7, IXYH20N120C3, IXYH30N120C3, IXYH30N120C3D1, IXA4I1200UC, IXA4IF1200TC, IXA4IF1200UC, IXA70I1200NA, IXYP20N120C3