IXYH40N120C3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXYH40N120C3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 577 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 115 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXYH40N120C3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXYH40N120C3 даташит
ixyh40n120c3.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH40N120C3 GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 50ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transien
ixyh40n120c3d1.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH40N120C3D1 GenX3TM w/ Diode IC90 = 40A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 50ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGE
ixyh40n120b3d1.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH40N120B3D1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 40A VCE(sat) 2.9V tfi(typ) = 183ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient 30 V IC25 TC
ixyh40n120b3.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH40N120B3 GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.9V tfi(typ) = 183ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C Tab VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V G = Gate C = Collector VGES Continuous 20 V E = Emitter Tab = C
Другие IGBT... IXA4IF1200TC , IXA4IF1200UC , IXA70I1200NA , IXYP20N120C3 , IXYP30N120C3 , IXYR100N120C3 , IXYH40N120B3 , IXYH40N120B3D1 , IRGP4086 , IXYH40N120C3D1 , IXYH50N120C3D1 , IXYK100N120C3 , IXYK120N120C3 , SG12N06DP , SG12N06DT , SG12N06P , SG12N06T .
History: HYG40P120H1S
History: HYG40P120H1S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50




