IXYH40N120C3 - аналоги и описание IGBT

 

IXYH40N120C3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYH40N120C3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 577 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 115 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH40N120C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH40N120C3 даташит

 ..1. Size:252K  ixys
ixyh40n120c3.pdfpdf_icon

IXYH40N120C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH40N120C3 GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 50ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transien

 0.1. Size:267K  ixys
ixyh40n120c3d1.pdfpdf_icon

IXYH40N120C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH40N120C3D1 GenX3TM w/ Diode IC90 = 40A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 50ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGE

 4.1. Size:231K  ixys
ixyh40n120b3d1.pdfpdf_icon

IXYH40N120C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH40N120B3D1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 40A VCE(sat) 2.9V tfi(typ) = 183ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient 30 V IC25 TC

 4.2. Size:215K  ixys
ixyh40n120b3.pdfpdf_icon

IXYH40N120C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH40N120B3 GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.9V tfi(typ) = 183ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C Tab VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V G = Gate C = Collector VGES Continuous 20 V E = Emitter Tab = C

Другие IGBT... IXA4IF1200TC , IXA4IF1200UC , IXA70I1200NA , IXYP20N120C3 , IXYP30N120C3 , IXYR100N120C3 , IXYH40N120B3 , IXYH40N120B3D1 , IRGP4086 , IXYH40N120C3D1 , IXYH50N120C3D1 , IXYK100N120C3 , IXYK120N120C3 , SG12N06DP , SG12N06DT , SG12N06P , SG12N06T .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.