Справочник IGBT. SHDG1025

 

SHDG1025 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SHDG1025
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 350 pF
   Тип корпуса: TO-258

 Аналог (замена) для SHDG1025

 

 

SHDG1025 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  sensitron
 shdg1025.pdf

SHDG1025 SHDG1025

SHD724502 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1004, REV. A Formerly part number SHDG1025 1200 VOLT, 35 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA WITH FAST REVERSE RECOVERY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Bre

Другие IGBT... DM2G75SH6N , CY20AAJ-8H , CY25AAJ-8F , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , SHD739601 , FGA25N120ANTD , SHSMG1009 , SHSMG1010 , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U , VS-GB100TP120N .

 

 
Back to Top