Справочник IGBT. SHDG1025

 

SHDG1025 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SHDG1025
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 350 pF
   Тип корпуса: TO-258
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SHDG1025 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  sensitron
 shdg1025.pdf pdf_icon

SHDG1025

SHD724502 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1004, REV. A Formerly part number SHDG1025 1200 VOLT, 35 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA WITH FAST REVERSE RECOVERY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Bre

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MMG100D120B6HN | IGB20N65S5 | NCE40ED75VT | DM1GL75SH12A | 2MBI550VJ-170-50 | CM150DU-12F | NGD15N41A

 

 
Back to Top

 


 
.