Справочник IGBT. VS-GB100LH120N

 

VS-GB100LH120N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-GB100LH120N
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.77 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 960 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GB100LH120N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  vishay
vs-gb100lh120n.pdfpdf_icon

VS-GB100LH120N

VS-GB100LH120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT,Chopper in1 Package, 1200 V and 100 AFEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD

 5.1. Size:114K  vishay
vs-gb100lp120n.pdfpdf_icon

VS-GB100LH120N

VS-GB100LP120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT,Chopper in 1 Package, 1200 V and 100 AFEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FW

 6.1. Size:158K  vishay
vs-gb100th120u.pdfpdf_icon

VS-GB100LH120N

VS-GB100TH120Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V and 100 AFEATURES NPT IGBT technology 10 s short circuit capability Low switching losses Rugged with ultrafast performance VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWDDouble INT-A-P

 6.2. Size:153K  vishay
vs-gb100th120n.pdfpdf_icon

VS-GB100LH120N

VS-GB100TH120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT,2-in-1 Package, 1200 V and 100 AFEATURES Low VCE(on) SPT + IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper base

Другие IGBT... SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 , RJP63F3DPP-M0 , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U , VS-GB100TP120N , VS-GB100TP120U , VS-GB100TS60NPBF , VS-GB150LH120N .

History: CM20MD-12H

 

 
Back to Top

 


 
.