VS-GB100TH120N - аналоги и описание IGBT

 

VS-GB100TH120N - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-GB100TH120N

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 61 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-GB100TH120N

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GB100TH120N даташит

 ..1. Size:153K  vishay
vs-gb100th120n.pdfpdf_icon

VS-GB100TH120N

VS-GB100TH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2-in-1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES Low VCE(on) SPT + IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper base

 1.1. Size:158K  vishay
vs-gb100th120u.pdfpdf_icon

VS-GB100TH120N

VS-GB100TH120U www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES NPT IGBT technology 10 s short circuit capability Low switching losses Rugged with ultrafast performance VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Double INT-A-P

 5.1. Size:88K  vishay
vs-gb100tp120u.pdfpdf_icon

VS-GB100TH120N

VS-GB100TP120U www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V, 100 A FEATURES 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Rugged with ultrafast performance Square RBSOA Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Direct Cop

 5.2. Size:193K  vishay
vs-gb100ts60npbf.pdfpdf_icon

VS-GB100TH120N

VS-GB100TS60NPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors INT-A-PAK Half-Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 108 A FEATURES Generation 5 Non Punch Through (NPT) technology Ultrafast optimized for hard switching speed Low VCE(on) 10 s short circuit capability Square RBSOA Positive VCE(on) temperature coefficient HEXFRED antiparallel diode with ultras

Другие IGBT... SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , GT30F126 , VS-GB100TH120U , VS-GB100TP120N , VS-GB100TP120U , VS-GB100TS60NPBF , VS-GB150LH120N , VS-GB150TH120N , VS-GB150TH120U , VS-GB150TS60NPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.