VS-GB100TH120N - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: VS-GB100TH120N
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 61 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-GB100TH120N
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
VS-GB100TH120N даташит
vs-gb100th120n.pdf
VS-GB100TH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2-in-1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES Low VCE(on) SPT + IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper base
vs-gb100th120u.pdf
VS-GB100TH120U www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES NPT IGBT technology 10 s short circuit capability Low switching losses Rugged with ultrafast performance VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Double INT-A-P
vs-gb100tp120u.pdf
VS-GB100TP120U www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V, 100 A FEATURES 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Rugged with ultrafast performance Square RBSOA Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Direct Cop
vs-gb100ts60npbf.pdf
VS-GB100TS60NPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors INT-A-PAK Half-Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 108 A FEATURES Generation 5 Non Punch Through (NPT) technology Ultrafast optimized for hard switching speed Low VCE(on) 10 s short circuit capability Square RBSOA Positive VCE(on) temperature coefficient HEXFRED antiparallel diode with ultras
Другие IGBT... SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , GT30F126 , VS-GB100TH120U , VS-GB100TP120N , VS-GB100TP120U , VS-GB100TS60NPBF , VS-GB150LH120N , VS-GB150TH120N , VS-GB150TH120U , VS-GB150TS60NPBF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460





