VS-GB100TP120U - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: VS-GB100TP120U
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.45 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 64 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-GB100TP120U
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
VS-GB100TP120U даташит
vs-gb100tp120u.pdf
VS-GB100TP120U www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V, 100 A FEATURES 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Rugged with ultrafast performance Square RBSOA Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Direct Cop
vs-gb100tp120n.pdf
VS-GB100TP120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V, 100 A FEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Is
vs-gb100th120u.pdf
VS-GB100TH120U www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES NPT IGBT technology 10 s short circuit capability Low switching losses Rugged with ultrafast performance VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Double INT-A-P
vs-gb100th120n.pdf
VS-GB100TH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2-in-1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES Low VCE(on) SPT + IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper base
Другие IGBT... SHSMG1009 , SHSMG1010 , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U , VS-GB100TP120N , FGH60N60SFD , VS-GB100TS60NPBF , VS-GB150LH120N , VS-GB150TH120N , VS-GB150TH120U , VS-GB150TS60NPBF , VS-GB200LH120N , VS-GB200NH120N , VS-GB200TH120N .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77





