VS-GB150TH120U - аналоги и описание IGBT

 

VS-GB150TH120U - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-GB150TH120U

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1147 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 116 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1140 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-GB150TH120U

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GB150TH120U даташит

 ..1. Size:117K  vishay
vs-gb150th120u.pdfpdf_icon

VS-GB150TH120U

VS-GB150TH120U www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V and 150 A FEATURES 10 s short circuit capability Low switching losses Rugged with ultrafast performance VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB

 1.1. Size:155K  vishay
vs-gb150th120n.pdfpdf_icon

VS-GB150TH120U

VS-GB150TH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2-in-1 Package, 1200 V and 150 A FEATURES Low VCE(on) SPT + IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Double INT-A-PAK Is

 5.1. Size:194K  vishay
vs-gb150ts60npbf.pdfpdf_icon

VS-GB150TH120U

VS-GB150TS60NPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors INT-A-PAK Half-Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 138 A FEATURES Generation 5 Non Punch Through (NPT) technology Ultrafast optimized for hard switching speed Low VCE(on) 10 s short circuit capability Square RBSOA Positive VCE(on) temperature coefficient HEXFRED antiparallel diode with ultras

 6.1. Size:129K  vishay
vs-gb150lh120n.pdfpdf_icon

VS-GB150TH120U

VS-GB150LH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, Chopper in 1 Package, 1200 V and 150 A FEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FW

Другие IGBT... VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U , VS-GB100TP120N , VS-GB100TP120U , VS-GB100TS60NPBF , VS-GB150LH120N , VS-GB150TH120N , G50T65D , VS-GB150TS60NPBF , VS-GB200LH120N , VS-GB200NH120N , VS-GB200TH120N , VS-GB200TH120U , VS-GB200TS60NPBF , VS-GA100TS60SFPBF , VS-GA200HS60S1PBF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.