VS-GB150TS60NPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-GB150TS60NPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 93 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.64 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
VS-GB150TS60NPBF Datasheet (PDF)
vs-gb150ts60npbf.pdf

VS-GB150TS60NPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsINT-A-PAK Half-Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 138 AFEATURES Generation 5 Non Punch Through (NPT) technology Ultrafast: optimized for hard switching speed Low VCE(on) 10 s short circuit capability Square RBSOA Positive VCE(on) temperature coefficient HEXFRED antiparallel diode with ultras
vs-gb150th120u.pdf

VS-GB150TH120Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V and 150 AFEATURES 10 s short circuit capability Low switching losses Rugged with ultrafast performance VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB
vs-gb150th120n.pdf

VS-GB150TH120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT,2-in-1 Package, 1200 V and 150 AFEATURES Low VCE(on) SPT + IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWDDouble INT-A-PAK Is
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet