Справочник IGBT. VS-GA100TS60SFPBF

 

VS-GA100TS60SFPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-GA100TS60SFPBF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.11 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 450 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1040 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-GA100TS60SFPBF

 

 

VS-GA100TS60SFPBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:171K  vishay
vs-ga100ts60sfpbf.pdf

VS-GA100TS60SFPBF
VS-GA100TS60SFPBF

VS-GA100TS60SFPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf-Bridge IGBT INT-A-PAK,(Standard Speed IGBT), 100 AFEATURES Standard speed PT IGBT technology Optimized for hard switching speed FRED Pt antiparallel diodes with fast recovery Very low conduction losses Al2O3 DBC UL approved file E78996 Designed for industrial level Material catego

 4.1. Size:258K  vishay
vs-ga100ts120upbf.pdf

VS-GA100TS60SFPBF
VS-GA100TS60SFPBF

VS-GA100TS120UPbFwww.vishay.comVishay Semiconductors INT-A-PAK Half-Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 100 AFEATURES Generation 4 IGBT technology Ultrafast: Optimized for high speed 8 kHz to40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonantmode Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft recovery Industry standard

 6.1. Size:228K  vishay
vs-ga100na60up.pdf

VS-GA100TS60SFPBF
VS-GA100TS60SFPBF

VS-GA100NA60UPwww.vishay.comVishay SemiconductorsInsulated Gate Bipolar Transistor (Warp 2 Speed IGBT), 100 AFEATURES Ultrafast: Optimized for minimum saturationvoltage and speed 0 to 40 kHz in hardswitching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses Fully isolated package (2500 VAC/RMS) Very low internal inductance ( 5 nH typical)

Другие IGBT... VS-GB150TH120N , VS-GB150TH120U , VS-GB150TS60NPBF , VS-GB200LH120N , VS-GB200NH120N , VS-GB200TH120N , VS-GB200TH120U , VS-GB200TS60NPBF , GT30F126 , VS-GA200HS60S1PBF , VS-GA200SA60UP , VS-GA200TH60S , VS-GA250SA60S , VS-GB300AH120N , VS-GB300LH120N , VS-GB300NH120N , VS-GB300TH120N .

 

 
Back to Top