VS-GA100TS60SFPBF - аналоги и описание IGBT

 

VS-GA100TS60SFPBF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-GA100TS60SFPBF

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.11 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 450 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1040 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 640 nC

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-GA100TS60SFPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GA100TS60SFPBF даташит

 0.1. Size:171K  vishay
vs-ga100ts60sfpbf.pdfpdf_icon

VS-GA100TS60SFPBF

VS-GA100TS60SFPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half-Bridge IGBT INT-A-PAK, (Standard Speed IGBT), 100 A FEATURES Standard speed PT IGBT technology Optimized for hard switching speed FRED Pt antiparallel diodes with fast recovery Very low conduction losses Al2O3 DBC UL approved file E78996 Designed for industrial level Material catego

 4.1. Size:258K  vishay
vs-ga100ts120upbf.pdfpdf_icon

VS-GA100TS60SFPBF

VS-GA100TS120UPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors INT-A-PAK Half-Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 100 A FEATURES Generation 4 IGBT technology Ultrafast Optimized for high speed 8 kHz to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft recovery Industry standard

 6.1. Size:228K  vishay
vs-ga100na60up.pdfpdf_icon

VS-GA100TS60SFPBF

VS-GA100NA60UP www.vishay.com Vishay Semiconductors Insulated Gate Bipolar Transistor (Warp 2 Speed IGBT), 100 A FEATURES Ultrafast Optimized for minimum saturation voltage and speed 0 to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses Fully isolated package (2500 VAC/RMS) Very low internal inductance ( 5 nH typical)

Другие IGBT... VS-GB150TH120N , VS-GB150TH120U , VS-GB150TS60NPBF , VS-GB200LH120N , VS-GB200NH120N , VS-GB200TH120N , VS-GB200TH120U , VS-GB200TS60NPBF , IHW20N135R5 , VS-GA200HS60S1PBF , VS-GA200SA60UP , VS-GA200TH60S , VS-GA250SA60S , VS-GB300AH120N , VS-GB300LH120N , VS-GB300NH120N , VS-GB300TH120N .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.