VS-GA100TS60SFPBF - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: VS-GA100TS60SFPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.11 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 450 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1040 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 640 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-GA100TS60SFPBF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
VS-GA100TS60SFPBF даташит
vs-ga100ts60sfpbf.pdf
VS-GA100TS60SFPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half-Bridge IGBT INT-A-PAK, (Standard Speed IGBT), 100 A FEATURES Standard speed PT IGBT technology Optimized for hard switching speed FRED Pt antiparallel diodes with fast recovery Very low conduction losses Al2O3 DBC UL approved file E78996 Designed for industrial level Material catego
vs-ga100ts120upbf.pdf
VS-GA100TS120UPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors INT-A-PAK Half-Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 100 A FEATURES Generation 4 IGBT technology Ultrafast Optimized for high speed 8 kHz to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft recovery Industry standard
vs-ga100na60up.pdf
VS-GA100NA60UP www.vishay.com Vishay Semiconductors Insulated Gate Bipolar Transistor (Warp 2 Speed IGBT), 100 A FEATURES Ultrafast Optimized for minimum saturation voltage and speed 0 to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses Fully isolated package (2500 VAC/RMS) Very low internal inductance ( 5 nH typical)
Другие IGBT... VS-GB150TH120N , VS-GB150TH120U , VS-GB150TS60NPBF , VS-GB200LH120N , VS-GB200NH120N , VS-GB200TH120N , VS-GB200TH120U , VS-GB200TS60NPBF , IHW20N135R5 , VS-GA200HS60S1PBF , VS-GA200SA60UP , VS-GA200TH60S , VS-GA250SA60S , VS-GB300AH120N , VS-GB300LH120N , VS-GB300NH120N , VS-GB300TH120N .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381



