VS-GA200TH60S - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: VS-GA200TH60S
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1042 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 710 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-GA200TH60S
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
VS-GA200TH60S даташит
vs-ga200th60s.pdf
VS-GA200TH60S www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2-in-1 Package, 600 V and 200 A FEATURES High short circuit capability 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Latch-up free Low inductance case Double INT-A-PAK Fast and soft reverse recovery antiparalle
vs-ga200hs60s1pbf.pdf
VS-GA200HS60S1PbF www.vishay.com Vishay Semiconductors INT-A-PAK Half Bridge IGBT (Standard Speed IGBT), 200 A FEATURES Gen 4 IGBT technology Standard optimized for hard switching speed Very low conduction losses Industry standard package UL approved file E78996 Designed and qualified for industrial level Material categorization for definitions of compl
vs-ga200sa60up.pdf
VS-GA200SA60UP www.vishay.com Vishay Semiconductors Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A FEATURES Ultrafast optimized for minimum saturation voltage and speed up to 30 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses Fully isolate package (2500 VAC/RMS) Very low internal inductance ( 5 nH typi
vs-ga250sa60s.pdf
VS-GA250SA60S www.vishay.com Vishay Semiconductors Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A FEATURES Standard optimized for minimum saturation voltage and low speed Lowest conduction losses available Fully isolated package (2500 VAC) Very low internal inductance (5 nH typical) Industry standard outline SOT-227 Designed and qualified for i
Другие IGBT... VS-GB200LH120N , VS-GB200NH120N , VS-GB200TH120N , VS-GB200TH120U , VS-GB200TS60NPBF , VS-GA100TS60SFPBF , VS-GA200HS60S1PBF , VS-GA200SA60UP , YGW60N65F1A1 , VS-GA250SA60S , VS-GB300AH120N , VS-GB300LH120N , VS-GB300NH120N , VS-GB300TH120N , VS-GB300TH120U , VS-GB400AH120N , VS-GB400AH120U .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor




