VS-GB55LA120UX Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-GB55LA120UX
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 57 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
Тип корпуса: SOT-227
- подбор IGBT транзистора по параметрам
VS-GB55LA120UX Datasheet (PDF)
vs-gb55la120ux.pdf

VS-GB55LA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsLow Side Chopper IGBT SOT-227 (Ultrafast IGBT), 50 AFEATURES NPT Generation V IGBT technology Square RBSOA HEXFRED clamping diode Positive VCE(on) temperature coefficient Fully isolated package Speed 8 kHz to 60 kHzSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard
vs-gb55na120ux.pdf

VS-GB55NA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsHigh Side Chopper IGBT SOT-227 (Ultrafast IGBT), 50 AFEATURES NPT Generation V IGBT technology Square RBSOA HEXFRED clamping diode Positive VCE(on) temperature coefficient Fully isolated package Speed 8 kHz to 60 kHzSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standar
vs-gb50yf120n.pdf

VS-GB50YF120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsIGBT Fourpack Module, 50 AFEATURES Square RBSOA HEXFRED low Qrr, low switching energy Positive VCE(on) temperature coefficient Copper baseplate Low stray inductance design Designed and qualified for industrial market UL approved file E78996 ECONO2 4PACK Material categorization: for definitions of
vs-gb50lp120n.pdf

VS-GB50LP120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT, Chopper in 1 Package, 1200 V and 50 AFEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology VCE(on) w
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: STGP30NC60S | FGH75T65SHDT | DM2G75SH6N | HGTD6N40E1S | FGP15N60UNDF | NGD15N41A | SHDG1025
History: STGP30NC60S | FGH75T65SHDT | DM2G75SH6N | HGTD6N40E1S | FGP15N60UNDF | NGD15N41A | SHDG1025



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent