F3L400R07PE4_B26 - аналоги и описание IGBT

 

F3L400R07PE4_B26 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F3L400R07PE4_B26

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F3L400R07PE4_B26

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L400R07PE4_B26 даташит

 0.1. Size:1091K  infineon
 f3l400r07pe4 b26.pdf pdf_icon

F3L400R07PE4_B26

 5.1. Size:957K  infineon
 f3l400r07me4 b22.pdf pdf_icon

F3L400R07PE4_B26

/ Technical Information IGBT- F3L400R07ME4_B22 IGBT-modules EconoDUAL 3 / IGBT4 and diode and NTC EconoDUAL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 650V CES I = 400A / I = 80

 5.2. Size:959K  infineon
 f3l400r07me4 b23.pdf pdf_icon

F3L400R07PE4_B26

/ Technical Information IGBT- F3L400R07ME4_B23 IGBT-modules EconoDUAL 3 / IGBT4 and diode and NTC EconoDUAL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 650V CES I = 400A / I = 80

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... F3L200R12W2H3_B11 , F3L300R12ME4_B22 , F3L300R12ME4_B23 , F3L300R12MT4_B22 , F3L300R12MT4_B23 , F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , KGF75N65KDF , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 .

History: F3L300R12MT4-B22

 

 

 

 

↑ Back to Top
.