F4-50R07W2H3_B51 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: F4-50R07W2H3_B51
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 19 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F4-50R07W2H3_B51
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
F4-50R07W2H3_B51 даташит
f4-50r06w1e3.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F4-50R06W1E3 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC V = 600V CES I = 50A / I = 100A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters I
f4-50r12ks4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F4-50R12KS4 IGBT-modules Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 70 C, T = 150 C I 50 A C vj max C nom Continuous DC collector cur
f4-50r12ks4 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- F4-50R12KS4_B11 IGBT-modules EconoPACK 2 IGBT pressfit NTC EconoPACK 2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200V CES I = 50A / I = 100A C nom CRM Typ
Другие IGBT... F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , MBQ60T65PES , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 .
History: FD1000R17IE4D_B2
History: FD1000R17IE4D_B2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913





