F4-50R07W2H3_B51 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F4-50R07W2H3_B51
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 19 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F4-50R07W2H3_B51
F4-50R07W2H3_B51 Datasheet (PDF)
f4-50r07w2h3 b51.pdf
/ Technical InformationIGBT- F4-50R07W2H3_B51IGBT-ModuleEasyBRIDGE CoolMOS and PressFIT / NTCEasyBRIDGE module with CoolMOS and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 650VCESI = 50A / I = 100AC nom CRM Typical Applications
f4-50r06w1e3.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R06W1E3IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters I
f4-50r12ks4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 70C, T = 150C I 50 AC vj max C nomContinuous DC collector cur
f4-50r12ks4 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-F4-50R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 IGBT pressfitNTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 50A / I = 100AC nom CRM Typ
f4-50r12ms4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R12MS4IGBT-modulesEconoDUAL2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und NTCEconoDUAL2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTCV = 1200VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency
Другие IGBT... F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , FGH40N60UFD , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2