Справочник IGBT. FD1000R17IE4

 

FD1000R17IE4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FD1000R17IE4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1000 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FD1000R17IE4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD1000R17IE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  infineon
 fd1000r17ie4.pdf pdf_icon

FD1000R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD1000R17IE4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul und NTCPrimePACK3 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistung

 0.1. Size:879K  infineon
 fd1000r17ie4d b2.pdf pdf_icon

FD1000R17IE4

/ Technical InformationIGBT-FD1000R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK3 and NTCPrimePACK3 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications

 7.1. Size:579K  infineon
 fd1000r33he3-k.pdf pdf_icon

FD1000R17IE4

FD1000R33HE3-KIHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 DiodeIHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diodeV = 3300VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Motorantrie

 7.2. Size:600K  infineon
 fd1000r33hl3-k.pdf pdf_icon

FD1000R17IE4

FD1000R33HL3-KIHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 DiodeIHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diodeV = 3300VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Motorantriebe Motor dr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... F4-75R12MS4 , FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , BT40T60ANF , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , FD1400R12IP4D , FD200R12KE3 , FD200R12PT4_B6 .

History: SGTP50T120FDB4PWA

 

 
Back to Top

 


 
.