FD500R65KE3-K - аналоги и описание IGBT

 

FD500R65KE3-K - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD500R65KE3-K

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 6500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD500R65KE3-K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD500R65KE3-K даташит

 ..1. Size:692K  infineon
 fd500r65ke3-k.pdf pdf_icon

FD500R65KE3-K

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FD500R65KE3-K IGBT-Module hochisolierendes Modul high insulated module V = 6500V CES I = 500A / I = 1000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Mittelspannungsantriebe Medium Voltage Converters Traktionsumrichter Traction Drives Elektrische Eigen

Другие IGBT... FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 , FD400R12KE3_B5 , FD400R33KF2C , FD400R33KF2C-K , FD400R65KF1-K , FD401R17KF6C_B2 , IKW50N60T , FD600R06ME3_B11_S2 , FD600R06ME3_S2 , FD600R12IP4D , FD600R12KF4 , FD600R16KF4 , FD600R17KE3_B2 , FD600R17KF6C_B2 , FD650R17IE4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.