Справочник IGBT. FD500R65KE3-K

 

FD500R65KE3-K - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FD500R65KE3-K
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 6500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD500R65KE3-K

 

 

FD500R65KE3-K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  infineon
 fd500r65ke3-k.pdf

FD500R65KE3-K FD500R65KE3-K

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFD500R65KE3-KIGBT-Modulehochisolierendes Modulhigh insulated moduleV = 6500VCESI = 500A / I = 1000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Mittelspannungsantriebe Medium Voltage Converters Traktionsumrichter Traction DrivesElektrische Eigen

Другие IGBT... FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 , FD400R12KE3_B5 , FD400R33KF2C , FD400R33KF2C-K , FD400R65KF1-K , FD401R17KF6C_B2 , SGT40N60FD2PN , FD600R06ME3_B11_S2 , FD600R06ME3_S2 , FD600R12IP4D , FD600R12KF4 , FD600R16KF4 , FD600R17KE3_B2 , FD600R17KF6C_B2 , FD650R17IE4 .

 

 
Back to Top