HGTP3N60C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGTP3N60C3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HGTP3N60C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTP3N60C3 даташит

 ..1. Size:265K  1
 hgtd3n60c3s hgtp3n60c3.pdf pdf_icon

HGTP3N60C3

HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3 Data Sheet December 2001 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs Features The HGTD3N60C3S and the HGTP3N60C3 are MOS gated 6A, 600V at TC = 25oC high voltage switching devices combining the best features 600V Switching SOA Capability of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 130ns at TJ = 1

 0.1. Size:390K  1
 hgtp3n60c3d hgt1s3n60c3d hgt1s3n60c3ds.pdf pdf_icon

HGTP3N60C3

 6.1. Size:810K  1
 hgtd3n60b3 hgtd3n60b3s hgt1s3n60b3 hgt1s3n60b3s hgtp3n60b3.pdf pdf_icon

HGTP3N60C3

 6.2. Size:644K  1
 hgtd3n60a4s hgt1s3n60a4s hgtp3n60a4.pdf pdf_icon

HGTP3N60C3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGTP2N120BN, HGTP2N120BND, HGTP2N120CN, HGTP2N120CND, HGTP3N60A4, HGTP3N60A4D, HGTP3N60B3, HGTP3N60B3D, IRGP4063D, HGTP3N60C3D, HGTP5N120BN, HGTP5N120BND, HGTP5N120CN, HGTP5N120CND, HGTP6N40E1D, HGTP6N50E1D, HGTP7N60A4