FD600R16KF4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FD600R16KF4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3900 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FD600R16KF4
FD600R16KF4 Datasheet (PDF)
fd600r16kf4.pdf
European Power-Semiconductor andElectronics CompanyMarketing InformationFD 600 R 16 KF455,211,85M8screwing depthmax. 813031,5114E1 C2C1 E2E1 E2C1 C2G1 G216 187M440 44282,5 deep2,5 deepscrewing depth53 57max. 8E1 C2 (K)E1G1C1C1 E2 (A)VWK Apr. 1997IGBT-Module FD 600 R 16 KF4Hchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElekt
fd600r17ke3-b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD600R17KE3_B2IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 600 AC vj max C nomContinuous DC col
fd600r17kf6c b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD600R17KF6C_B2IGBT-modulesIHM-A Modul mit low loss IGBT2 and Emitter Controlled Diode IHM-A module with low loss IGBT2 and Emitter Controlled Diode Vorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25C 1700vj
fd600r12ip4d.pdf
/ Technical InformationIGBT-FD600R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK2 /IGBT4 NTCPrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode and NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 600A / I = 1200AC nom CRM
fd600r17ke3 b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD600R17KE3_B2IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 600 AC vj max C nomContinuous DC col
fd600r12kf4.pdf
European Power-Semiconductor andElectronics CompanyGmbH + Co. KGMarketing InformationFD 600 R 12 KF455,211,85M8screwing depthmax. 813031,5114E1 C2C1 E2E1C1G1167M440282,5 deep 2,5 deepscrewing depth53max. 8E1 C2 (K)E1G1C1C1 E2 (A)A13/97 Mod-E/ 13.Jan 1998 G.SchulzeFD 600 R 12 KF 4Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2