FD800R33KF2C-K - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FD800R33KF2C-K
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9600 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FD800R33KF2C-K
FD800R33KF2C-K Datasheet (PDF)
fd800r33kf2c-k.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD800R33KF2C-KIGBT-modulesIHM-A ModulIHM-A moduleVorlufige Daten / Preliminary DataV = 3300VCESI = 800A / I = 1600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Traktionsumrichter Traction DrivesMechanische Eigenschaften Mechanical Features AlSi
fd800r33kf2c.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD800R33KF2CIGBT-modulesVorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25C 3300vjV VCESCollector-emitter voltage T = -25C 3300vjKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 800 AC vj max C nom
fd800r33kl2c-k b5.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD800R33KL2C-K_B5IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25C 3300vjV VCESCollector-emitter voltage T = -25C 3300vjKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 800 AC vj max
fd800r17ke3 b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD800R17KE3_B2IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 800 AC vj max C nomContinuous DC col
fd800r17ke3-b2.pdf
/ Technical InformationIGBT-FD800R17KE3_B2IGBT-modulesIGBT, - / IGBT, Brake-Chopper Preliminary Data / Maximum Rated ValuesT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltage T = 80C, T = 150C I 800 AC vj max C nomContinuous DC collector current T = 25
fd800r17kf6c b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD800R17KF6C_B2IGBT-modules1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2.ten Generation und softer Emitter Controlled Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft Emitter Controlled Diode Vorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated V
fd800r17hp4-k-b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFD800R17HP4-K_B2IGBT-ModuleIHM-B Modul mit Chopper KonfigurationIHM-B module with chopper configurationV = 1700VCESI = 800A / I = 1600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter High power converters Traktionsumrichter Tra
fd800r45kl3-k-b5.pdf
FD800R45KL3-K_B5hochisolierendes Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diodehighly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diodeV = 4500VCESI = 800A / I = 1600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter High power converters Mittelsp
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2