FF200R17KE3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF200R17KE3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF200R17KE3
FF200R17KE3 Datasheet (PDF)
ff200r17ke3.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R17KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT und Emitter ControlledDiode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspa
ff200r17ke4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R17KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications H
ff200r12ks4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli
ff200r12ke3.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE3IGBT-modulesIGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 200 AC vj max C nomContinuous DC collector current T = 25C, T = 150C I 295 A
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement