FF200R17KE3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: FF200R17KE3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF200R17KE3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
FF200R17KE3 даташит
ff200r17ke3.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R17KE3 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspa
ff200r17ke4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R17KE4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications H
ff200r12ks4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KS4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 f r hochfrequentes Schalten 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli
ff200r12ke3.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF200R12KE3 IGBT-modules IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 200 A C vj max C nom Continuous DC collector current T = 25 C, T = 150 C I 295 A
Другие IGBT... FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FF200R12KE4 , FF200R12KS4 , FF200R12KT3 , FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 , FF200R12MT4 , IHW40T60 , FF200R17KE4 , FF200R33KF2C , FF225R12ME3 , FF225R12ME4 , FF225R12ME4_B11 , FF225R12MS4 , FF225R17ME3 , FF225R17ME4 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement












