FF300R06KE3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: FF300R06KE3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF300R06KE3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
FF300R06KE3 даташит
ff300r06ke3.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF300R06KE3 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled3 Diode 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 600 V vj CES Colle
ff300r06ke3 b2.pdf
/ Technical Information IGBT- FF300R06KE3_B2 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3, Emitter Controlled3 Diode und M5 Lastanschl ssen 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3, Emitter Controlled3 diode and M5 power terminals IGBT, / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated Values
ff300r06ke3-b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF300R06KE3_B2 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3, Emitter Controlled3 Diode und M5 Lastanschl ssen 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3, Emitter Controlled3 diode and M5 power terminals Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum
ff300r07me4-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF300R07ME4_B11 IGBT-Module EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoDUAL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hybrid-Nutzfahrzeuge Commercial Agric
Другие IGBT... FF200R33KF2C , FF225R12ME3 , FF225R12ME4 , FF225R12ME4_B11 , FF225R12MS4 , FF225R17ME3 , FF225R17ME4 , FF225R17ME4_B11 , SGT40N60FD2PT , FF300R06KE3_B2 , FF300R07KE4 , FF300R07ME4_B11 , FF100R12KS4 , FF100R12RT4 , FF100R12YT3 , FF1200R12KE3 , FF1200R17KE3 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent