FF300R06KE3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF300R06KE3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF300R06KE3
FF300R06KE3 Datasheet (PDF)
ff300r06ke3.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF300R06KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled3 Diode 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vvj CESColle
ff300r06ke3 b2.pdf
/ Technical InformationIGBT-FF300R06KE3_B2IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3, Emitter Controlled3 Diode und M5 Lastanschlssen 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3, Emitter Controlled3 diode and M5 power terminals IGBT, / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated Values
ff300r06ke3-b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF300R06KE3_B2IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3, Emitter Controlled3 Diode und M5 Lastanschlssen 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3, Emitter Controlled3 diode and M5 power terminals Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum
ff300r07me4-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF300R07ME4_B11IGBT-ModuleEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hybrid-Nutzfahrzeuge Commercial Agric
ff300r07ke4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF300R07KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode62mm C-Series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled DiodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichte
ff300r07me4 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-FF300R07ME4_B11IGBT-ModuleEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 300A / I = 600AC
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2